삼성전자, 미국서 10㎚ 3세대 공정 기술 공개

입력 2016-11-03 07:50 수정 2016-11-03 07:50


삼성전자가 10㎚(나노미터) 3세대 공정을 공개했다.

3일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 ‘삼성 파운드리 포럼’을 열고 14나노와 10나노 LPU(Low Power Ultimate) 기술을 선보였다.
업계 최초로 10나노 1세대 공정 양산에 돌입한 삼성전자는 10나노 3세대 공정 기술까지 공개하며 공정 확대 계획을 밝혔다.

이번에 공개된 두 기술은 고성능·저전력에 특화됐다. 14나노 4세대 공정인 14LPU는 3세대 LPC(Low Power Compact) 공정과 같은 전력을 사용하지만 성능은 더 뛰어나다. 3세대 10나노 공정인 10LPU는 이전 세대 공정인 LPE(Low Power Early)와 LPP(Low Power Performance)와 같은 성능이지만 면적이 좁다는 게 장점이다.

아울러 삼성전자는 7나노 EUV 웨이퍼와 EUV 공정 개발 현황에 대해서도 발표했다. 대만 TSMC가 7나노 공정 본격화를 밝힌 상태지만 업계는 삼성전자가 초기 비용을 고려해 당분간 10나노 기술에 주력할 것으로 보고 있다.

이진욱 한경닷컴 기자 showgun@hankyung.com

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